В Китае исследователи из Фуданьского университета создали прототип флеш-памяти нового поколения, которая может записывать данные со скоростью 1 бит в 400 пикосекунд, сообщает Xinhua.
Используя алгоритмы ИИ для оптимизации условий тестирования, специалисты значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее применения, отметил глава проекта Чжоу Пэн.
Новый прототип получил название PoX. Он сделан на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. Устройство смогло превзойти самые быстрые типы оперативной памяти, в числе которых DRAM и SRAM. PoX может сохранять данные без питания и сочетать энергоэффективность флеш-памяти с быстрой скоростью.
Технология может оказаться основой будущих решений.