
В Китае разработали прототип самой быстрой флеш-памяти
В Китае исследователи из Фуданьского университета создали прототип флеш-памяти нового поколения, которая может записывать данные со скоростью 1 бит в 400 пикосекунд, сообщает Xinhua. Используя алгоритмы ИИ для оптимизации условий тестирования, специалисты значительно продвинули эту технологию и открыли путь для Читать далее